מספר מוצר של יצרן:
TSM6N60CH C5G
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM6N60CH C5G-DG
תיאור:
MOSFET N-CHANNEL 600V 6A TO251
תיאור מפורט:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 89W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
מלאי:
12893909
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM6N60CH C5G מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
-
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
600 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
6A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
1.25Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
4V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
20.7 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±30V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
1248 pF @ 25 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
89W (Tc)
טמפרטורת פעולה
150°C (TJ)
סוג הרכבה
Through Hole
חבילת מכשירים לספקים
TO-251 (IPAK)
חבילה / מארז
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM6N60CH C5G-DG
TSM6N60CHC5G
חבילה סטנדרטית
75
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
PSMN027-100XS,127
MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F
TSM60NB190CM2 RNG
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
TSM60NB099CZ C0G
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220
